| 专利名 | 一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化方法 |
| 行业分类: | 新材料技术 |
| 简介: | 本发明涉及一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化的方法，其过程如下：先清洗GaN 基样片并生长好干法刻蚀阻挡层，然后涂光刻胶，光刻并腐蚀阻挡层至露出需要干法刻蚀 的区域，并去除光刻胶；再对样片用干法刻蚀进行刻蚀，要求刻蚀深度为最终刻蚀深度的一 半，取出样片；然后将样片旋涂一层光刻胶，光刻并腐蚀阻挡层露出二次台阶区域，去除光 刻胶；接着对样片进行二次刻蚀，刻蚀深度约为最终需刻蚀深度的一半，取出样片；再先后 去除样片表面剩余阻挡层，刻蚀损伤层，最后在样片上生长钝化层。本发明在制备垂直台面 时形成双台阶，从而降低样片台阶高度，因此在钝化层生长时，钝化层容易完全覆盖器件表 面及台阶侧壁，从而形成较佳的钝化效果。 |
| 专利号: | 200910123154.9 |
| 申请(专利权)人: | 中国空空导弹研究院 |
| 专利提供单位: | |
| 专利类型: | 发明专利 |
| 法律状态: | 有权 |
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| 参考价格: |
