| 专利名 | 一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片及其制造方法 |
| 行业分类: | 新材料技术 |
| 简介: | 一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片，其包括减反膜[6]、低温胶[7]、锑化铟光 敏阵列[ 8]、硅读出电路[ 9]、铟柱[10]、锑化铟衬底[11 ]。其中，所述锑化铟光敏阵列[ 8]背 面设置有减反膜[6]，其正面设置有铟柱[10]。所述铟柱[10]另一端与硅读出电路[9]相连， 该硅读出电路[9]背面设置有锑化铟衬底[11]，且锑化铟光敏阵列[8]、硅读出电路[9]和铟 柱[10 ]之间的空隙内设置有低温胶[7 ]。本发明锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片内锑化 铟光敏阵列与硅读出电路达到热匹配，减少应变，使锑化铟红外焦平面阵列探测器具有较 高的可靠度。另外本发明提供了所述锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片的制造方法。 |
| 专利号: | 200910123151.5 |
| 申请(专利权)人: | 中国空空导弹研究院 |
| 专利提供单位: | |
| 专利类型: | 发明专利 |
| 法律状态: | 有权 |
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| 参考价格: |
